三星3nm GAA 工艺成功流片，性能提高约30％

在与台积电的3nm工艺竞争中，三星已经抢先一步。

据外媒报道，三星已经成功流片3nm GAA芯片，这让三星离真正实现3nm芯片量产更近一步。

当下，芯片封装最先进的工艺是5nm，同时3nm工艺也正处在技术攻坚阶段。此前台积电曾表示，自家3nm工艺明年就能量产。不过台积电的3nm工艺依然选择了传统的FinFET 晶体管技术，而三星押注了更加激进的GAA技术。

三星采用的下一代工艺技术——GAA全称为环绕栅极晶体管。通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥 - 通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要用来取代FinFET晶体管技术。

早在2019年，三星就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准，这一次 3nm芯片流片也是同Synopsys合作完成，双方联合验证了该工艺的设计、生产流程。

根据三星的说法，与5nm制造工艺相比， 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了 35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

不过此次三星、 Synopsys 并没有透露这次验证的 3nm GAA 芯片的详情，官方只说GAA架构改进了静电特性，提高了性能，降低了功耗。网络上也对三星3nm GAA工艺保持着观望态度。

三星3nm GAA芯片的流片意味着三星在3nm工艺竞争中抢先一步。但最终的进度依然不好说，只有真正完成量产才能在抢占客户上抢占先进。目前来看，台积电3nm工艺更加成熟。